高性价比4.8W双组输出IGBT驱动电源——QA_HD2-R3 / QA_HCD2-R3系列
随着新能源行业的发展,IGBT /SiC MOSFET作为充电桩设备、光伏SVG系统中的关键半导体器件组成部分,市场对其应用条件和性能提出更高的要求,对于驱动方案的要求也随之提高。日前,金升阳推出了IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源QA-R3/QA_C-R3系列产品,以及满足更加严苛的应用需求的驱动电源QA_H-R3/QA_HC-R3系列产品。
为打造更具有高性价比的驱动电源,金升阳基于自主IC设计平台升级开发出内部采用非对称式电压输出形式的QA_HD2-R3 / QA_HCD2-R3系列