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高可靠/高效率-QAxx3D-2GR3驱动电源重磅上市

金升阳紧跟功率半导体市场动向,推出QAxx3D-2GR3(下文称:QA-R3系列驱动电源),可有效应用于1700V及以下电压的IGBT/SiC MOSFET上,为IGBT/SiC MOSFET的驱动器提供高可靠、高效率的驱动电源方案。


QAR3-(3).jpg


一、产品介绍

1)高可靠性保障

QA-R3系列驱动电源在变压器设计上采用了独特设计,通过增加原副边爬电距离,使得电气间隙满足14.5mm的安规要求,隔离电容3.5pF,隔离电压达到5000VAC(基于EN61800-5-1标准要求);产品采用加强绝缘设计,极大提高了可靠性。

 该系列还满足EN50178/EN61800-5-1标准要求,通过EN62368认证(认证中),符合UL62368设计要求;高可靠的设计保证其可有效应用于1700V及以下电压的IGBT/SiC MOSFET上,为IGBT/SiC MOSFET的驱动器提供高可靠的驱动电源方案。

2)效率高达88%

采用独特电路设计方案,在电路设计上,减小了原副边漏感的影响,极大地提升产品效率,使得产品效率高达88%,处于行业领先地位。

3)单路2.4W输出功率,双通道输出,设计更灵活

采用双通道输出设计,单路输出功率可达到2.4W,两通道之间满足加强绝缘要求(5000VAC隔离),有效降低了客户的使用成本和占板面积使得客户设计更加灵活。

 

二、产品应用


QA-R3系列驱动电源依靠高可靠性能,可满足1700V及以下的常规IGBT/SiC MOSFET,应用领域涵盖轨道交通,智能电网,风力发电,新能源,电机传动,充电桩等。


QAR3-(2).jpg


一、产品特点

效率高达88%

隔离电压高达5000VAC(加强绝缘)

最大容性负载200uF

隔离电容3.5pF typ.

工作电压范围:-40℃ to +105℃

整机材质符合CTI 1类

专为1700V IGBT/SiC MOSFET驱动器设计

符合UL62368、EN61800、EN50178标准认证要求

通过EN62368认证 

详细产品技术参数请参考技术手册:

型号标题 输入电压(VDC) 输出电流(mA) 工作温度 输出电压正(VDC) 输出电压负(VDC) 效率% 隔离电压(VAC) 封装形式 特性说明 资料下载 (3D/PCB封装库/原理图库) 认证 技术手册 样品
申请
QA123D-2GR3 12 100/100 -40℃ to+105℃ 24 - 88 5000 DIP - -
QA153D-2GR3 15 100/100 -40℃ to+105℃ 24 - 88 5000 DIP - -
QA243D-2GR3 24 100/100 -40℃ to+105℃ 24 - 88 5000 DIP - -
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